Ноутбуки и техника для ваших задач

Память RAM: Samsung

Изображение

Описание

Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-2400, CL17-17-17

Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-2400, CL17-17-17

Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули:

20 €

Samsung UDIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19

Samsung UDIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19

Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 2666MT/s; модули: 1x 8GB; спецификация JEDEC: PC4-21300U; напряжение: 1.2V (нормативное напр

21 €

Samsung UDIMM 8GB, DDR4-2133, CL15-15-15

Samsung UDIMM 8GB, DDR4-2133, CL15-15-15

Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 2133MT/s; модули: 1x 8GB; спецификация JEDEC: PC4-17000U; напряжение: 1.2V (нормативное напр

21 €

Samsung DIMM 8GB, DDR4-2133, CL15-15-15

Samsung DIMM 8GB, DDR4-2133, CL15-15-15

Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2133MT/s (2133 МГц эффективная - основанная на 1066.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 267 МГц (внутренняя); модули:

22 €

Samsung UDIMM 8GB, DDR4-2400, CL17-17-17

Samsung UDIMM 8GB, DDR4-2400, CL17-17-17

Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 2400MT/s; модули: 1x 8GB; спецификация JEDEC: PC4-19200U; напряжение: 1.2V (нормативное напр

24 €

Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11

Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11

Форм-фактор: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 1600MT/s; модули: 1x 8GB; спецификация JEDEC: PC3-12800S; напряжение: 1.5V (нормативное нап...

25 €

Samsung SO-DIMM 4GB, DDR4-2400, CL17-17-17

Samsung SO-DIMM 4GB, DDR4-2400, CL17-17-17

Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули:

25 €

Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-3200, CL22-22-22

Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-3200, CL22-22-22

Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 3200MT/s (3200 МГц эффективная - основанная на 1600 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 400 МГц (внутренняя); модули:

25 €

Samsung SO-DIMM 4GB, DDR4-2400, CL17-17-17, 1RX16

Samsung SO-DIMM 4GB, DDR4-2400, CL17-17-17, 1RX16

Форм-фактор: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 2400 MT/с; Модули: 1x 4GB; Спецификация JEDEC: PC4-19200S; Напряжение: 1.2V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm; …

26 €

Samsung SO-DIMM 8GB, DDR5-4800, CL40

Samsung SO-DIMM 8GB, DDR5-4800, CL40

Форм-фактор: DDR5 SO-DIMM 262-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 4800MT/s; модули: 1x 8GB; ECC: коррекция ошибок (on-die ECC); спецификация JEDEC: PC5-38400S; нап...

26 €

Samsung SO-DIMM 8GB, DDR5-4800, CL40, 1RX16

Samsung SO-DIMM 8GB, DDR5-4800, CL40, 1RX16

Форм-фактор: DDR5 SO-DIMM 262-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 4800 MT/с; Модули: 1x 8GB; ECC: коррекция ошибок (on-die ECC); Спецификация JEDEC: PC5-38400S; Напряжение: 1.1V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm; …

27 €

Samsung UDIMM 8GB, DDR4-2400, CL17-17-17, 1RX8

Samsung UDIMM 8GB, DDR4-2400, CL17-17-17, 1RX8

Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 2400 MT/с; Модули: 1x 8GB; Спецификация JEDEC: PC4-19200U; Напряжение: 1.2V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 31.25mm; …

29 €

Samsung DIMM 16GB, DDR4-3200, CL22-22-22

Samsung DIMM 16GB, DDR4-3200, CL22-22-22

Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 3200MT/s (3200 МГц эффективная - основанная на 1600 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 400 МГц (внутренняя); модули: 1x 16GB;

29 €

Samsung DIMM 16GB, DDR4-2666, CL19-19-19

Samsung DIMM 16GB, DDR4-2666, CL19-19-19

Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 1x 16GB;

29 €

Samsung DIMM 16GB, DDR4-2400, CL17-17-17

Samsung DIMM 16GB, DDR4-2400, CL17-17-17

Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули: 1x 16GB;

29 €

Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1066, CL7

Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1066, CL7

Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1066MT/s (1066 МГц эффективная - основанная на 533 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 133 МГц (внутренняя); модули: 1

30 €

Samsung UDIMM 16GB, DDR4-2666, CL19-19-19

Samsung UDIMM 16GB, DDR4-2666, CL19-19-19

Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 2666MT/s; модули: 1x 16GB; спецификация JEDEC: PC4-21300U; напряжение: 1.2V (нормативное напр...

32 €

Samsung RDIMM 32GB, DDR4-2400, CL17-17-17, reg ECC

Samsung RDIMM 32GB, DDR4-2400, CL17-17-17, reg ECC

Тип: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули

32 €

Samsung SO-DIMM 16GB, DDR4-2400, CL17-17-17

Samsung SO-DIMM 16GB, DDR4-2400, CL17-17-17

Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули:

33 €

Samsung UDIMM 16GB, DDR4-2666, CL19-19-19, 2RX8

Samsung UDIMM 16GB, DDR4-2666, CL19-19-19, 2RX8

Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 2666 MT/с; Модули: 1x 16GB; Спецификация JEDEC: PC4-21300U; Напряжение: 1.2V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 31.25mm; …

34 €

1
2
3
4
5