Ноутбуки и техника для ваших задач

Память RAM: DDR3

Изображение

Описание

SK hynix SO-DIMM 2GB, DDR3-1600, CL11-11-11, 1R

SK hynix SO-DIMM 2GB, DDR3-1600, CL11-11-11, 1R

Форм-фактор: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 1600 MT/с; Модули: 1x 2GB; Спецификация JEDEC: PC3-12800S; Напряжение: 1.5V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm; …

13 €

Patriot Signature Line SO-DIMM 4GB, DDR3L-1600, CL11

Patriot Signature Line SO-DIMM 4GB, DDR3L-1600, CL11

Форм-фактор: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 1600 MT/с; Модули: 1x 4GB; Спецификация JEDEC: PC3L-12800S; Напряжение: 1.35V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm …

13 €

ADATA Premier UDIMM 4GB, DDR3-1600, CL11, X8

ADATA Premier UDIMM 4GB, DDR3-1600, CL11, X8

Форм-фактор: DDR3 DIMM 240-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 1600 MT/с; Модули: 1x 4GB; Спецификация JEDEC: PC3-12800U; Напряжение: 1.5V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm; …

13 €

G.Skill NS Series UDIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11-28

G.Skill NS Series UDIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11-28

Форм-фактор: DDR3 DIMM 240-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (несмещённая память без коррекции ошибок); передача данных: 1600MT/s; модули: 1x 4GB; ECC: отсутствует; спецификация JEDEC: PC3-1...

13 €

V7 UDIMM 8GB, DDR3-1600, CL11

V7 UDIMM 8GB, DDR3-1600, CL11

Форм-фактор: DDR3 DIMM 240-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (несмещённая память без коррекции ошибок); передача данных: 1600MT/s; модули: 1x 8GB; ECC: отсутствует; спецификация JEDEC: PC3-1...

13 €

Samsung UDIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11

Samsung UDIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11

Форм-фактор: DDR3 DIMM 240-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (несмещённая память без коррекции ошибок); передача данных: 1600MT/s; модули: 1x 8GB; ECC: отсутствует; спецификация JEDEC: PC3-1...

13 €

V7 DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9

V7 DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9

Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 2GB

13 €

Silicon Power SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11

Silicon Power SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11

Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8G

13 €

Silicon Power DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11

Silicon Power DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11

Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB; J

13 €

Samsung DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11

Samsung DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11

Тип: DDR3L DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB;

13 €

Samsung DIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11

Samsung DIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11

Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB; J

13 €

Samsung DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9

Samsung DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9

Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB

13 €

PNY Premium SO-DIMM 2GB, DDR3-1333, CL11

PNY Premium SO-DIMM 2GB, DDR3-1333, CL11

Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x

13 €

Kingston ValueRAM SO-DIMM 2GB, DDR3-1600, CL11

Kingston ValueRAM SO-DIMM 2GB, DDR3-1600, CL11

Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 2GB

13 €

G.Skill NS Series DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9-9-9-24

G.Skill NS Series DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9-9-9-24

Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 2GB

13 €

ADATA Premier DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11

ADATA Premier DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11

Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB; J

13 €

Corsair ValueSelect DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11-30

Corsair ValueSelect DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11-30

Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4

13 €

SK hynix SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, 2R

SK hynix SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, 2R

Форм-фактор: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 1600 MT/с; Модули: 1x 8GB; Спецификация JEDEC: PC3L-12800S; Напряжение: 1.35V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm …

14 €

Silicon Power UDIMM 4GB, DDR3-1600, CL11

Silicon Power UDIMM 4GB, DDR3-1600, CL11

Форм-фактор: DDR3 DIMM 240-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (несмещённая память без коррекции ошибок); передача данных: 1600MT/s; модули: 1x 4GB; ECC: отсутствует; спецификация JEDEC: PC3-1...

14 €

SK hynix SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11

SK hynix SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11

Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8G

14 €

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25