Изображение |
Описание |
 | Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11
Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB 7 € |
|
 | Samsung DIMM 2GB, DDR2-800, CL6
Тип: DDR2 DIMM 240-Pin; передача данных: 800MT/s (800 МГц эффективная - основанная на 400 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 2GB; JED 8 € |
|
 | Samsung DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11
Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB; J 10 € |
|
 | Samsung DIMM 512MB, DDR2-667, CL5
Тип: DDR2 DIMM 240-Pin; передача данных: 667MT/s (667 МГц эффективная - основанная на 333.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 512MB 10 € |
|
|
|
|
 | Samsung UDIMM 2GB, DDR2-800, CL6
Форм-фактор: DDR2 DIMM 240-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 800 MT/с; Модули: 1x 2GB; Спецификация JEDEC: PC2-6400U; Напряжение: 1.8V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm; Case: … 11 € |
|
 | Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3L-1600, CL11-11-11
Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4G 12 € |
|
 | Samsung SO-DIMM 512MB, DDR2-667, CL5
Тип: DDR2 SO-DIMM 200-Pin; передача данных: 667MT/s (667 МГц эффективная - основанная на 333.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 51 12 € |
|
 | Samsung UDIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11
Форм-фактор: DDR3 DIMM 240-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (несмещённая память без коррекции ошибок); передача данных: 1600MT/s; модули: 1x 8GB; ECC: отсутствует; спецификация JEDEC: PC3-1... 13 € |
|
 | Samsung DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11
Тип: DDR3L DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB; 13 € |
|
|
|
|
 | Samsung DIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11
Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB; J 13 € |
|
 | Samsung DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9
Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB 13 € |
|
 | Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9
Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 15 € |
|
 | Samsung DIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19
Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 1x 15 € |
|
 | Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, 2RX8
Форм-фактор: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 1600 MT/с; Модули: 1x 8GB; Спецификация JEDEC: PC3L-12800S; Напряжение: 1.35V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm … 16 € |
|
 | Samsung RDIMM 16GB, DDR3-1600, CL11-11-11, reg ECC
Тип: DDR3 RDIMM 240-Pin, reg ECC; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); моду 16 € |
|
 | Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11
Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8G 17 € |
|
 | Samsung FBDIMM 2GB, DDR2-667, CL5, ECC
Форм-фактор: DDR2 DIMM 240-Pin; тип модуля: FBDIMM (Fully-Buffered); передача данных: 667MT/s; модули: 1x 2GB; ECC: Sideband ECC; спецификация JEDEC: PC2-5300F; напряжение: 1.8V (нормативное напряжение ... 18 € |
|
 | Samsung DIMM 8GB, DDR4-2400, CL17-17-17
Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули: 1x 19 € |
|
 | Samsung SO-DIMM 4GB, DDR4-2666, CL19-19-19, 1RX16
Форм-фактор: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 2666 MT/с; Модули: 1x 4GB; Спецификация JEDEC: PC4-21300S; Напряжение: 1.2V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm; … 20 € |
|
 | Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19
Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 20 € |
|